型号 CMF10120D
厂商 Cree Inc
描述 SIC MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
CMF10120D PDF
代理商 CMF10120D
标准包装 30
系列 Z-FET™
FET 型 SiCFET N 通道,碳化硅
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 220 毫欧 @ 10A,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 47.1nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds 928pF @ 800V
功率 - 最大 152W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
包装 管件
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CMF20120D Cree Inc SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
CMF2018K000GKEA Vishay Dale RES 18K OHM 1W 2% AXIAL
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CMF50100K00FHEB Vishay Dale RES 100K OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50100K00FHEB Vishay Dale RES 100K OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50100R00FHEB Vishay Dale RES 100 OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50100R00FHEB Vishay Dale RES 100 OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50102K00FHEB Vishay Dale RES 102K OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50102K00FHEB Vishay Dale RES 102K OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50102R00FHEB Vishay Dale RES 102 OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50102R00FHEB Vishay Dale RES 102 OHM 1/4W 1% AXIAL
CMF50105K00FHEB Vishay Dale RES 105K OHM 1/4W 1% AXIAL